Общество
Нижегородские ученые первыми в России создали инжекционный гибридный лазер
Нижний Новгород. 21 декабря. НТА-Приволжье – Нижегородские ученые первыми в России создали инжекционный гибридный лазер.
Как сообщает пресс-служба ННГУ, впервые в России создан инжекционный гибридный лазер ближнего инфракрасного (ИК) диапазона для кремниевых оптических соединений с выходной мощностью до 0,75 Вт при температуре равной 300 К (менее 27° С) в импульсном режиме.
Идея передачи информации не по проводам, а с помощью света, источник которого находился бы непосредственно на пластине устройства, занимает ученых, работающих в области физики полупроводников уже много лет. Задача усложняется ещё и тем, что основными природными элементами микроэлектронной промышленности являются кремний (Si) и германий (Ge), которые не способны эффективно генерировать свет. Одним из способов решения этой проблемы является рост так называемых гибридных структур, когда на кремниевой пластине выращиваются другие полупроводники, способные эффективно испускать свет.
В ИФМ РАН развитием кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона учёные занимаются много лет. Накоплен большой исследовательский опыт, поставлено много экспериментов и, наконец, благодаря совместным усилиям технологов ИФМ РАН и НИФТИ ННГУ удалось вырастить качественную структуру на основе арсенида галлия (InGaAs/GaAs) на кремнии. На этой структуре был создан гибридный лазер. Работа выполнялась в содружестве с учёными научно-производственного предприятия "Салют", где были выполнены post-ростовые процессы лазера: оснащение контактами, волноводами, зеркалами. Регион: Н. Новгород
Как сообщает пресс-служба ННГУ, впервые в России создан инжекционный гибридный лазер ближнего инфракрасного (ИК) диапазона для кремниевых оптических соединений с выходной мощностью до 0,75 Вт при температуре равной 300 К (менее 27° С) в импульсном режиме.
Идея передачи информации не по проводам, а с помощью света, источник которого находился бы непосредственно на пластине устройства, занимает ученых, работающих в области физики полупроводников уже много лет. Задача усложняется ещё и тем, что основными природными элементами микроэлектронной промышленности являются кремний (Si) и германий (Ge), которые не способны эффективно генерировать свет. Одним из способов решения этой проблемы является рост так называемых гибридных структур, когда на кремниевой пластине выращиваются другие полупроводники, способные эффективно испускать свет.
В ИФМ РАН развитием кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона учёные занимаются много лет. Накоплен большой исследовательский опыт, поставлено много экспериментов и, наконец, благодаря совместным усилиям технологов ИФМ РАН и НИФТИ ННГУ удалось вырастить качественную структуру на основе арсенида галлия (InGaAs/GaAs) на кремнии. На этой структуре был создан гибридный лазер. Работа выполнялась в содружестве с учёными научно-производственного предприятия "Салют", где были выполнены post-ростовые процессы лазера: оснащение контактами, волноводами, зеркалами. Регион: Н. Новгород
Комментарии