Химики ННГУ займутся разработкой отечественного материала лазерной техники

Нижний Новгород. 3 апреля. НТА-Приволжье — Химики Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н.И. Лобачевского займутся проектом «Разработка технологии и синтез высокочистого поликристаллического арсенида галлия для создания электронной компонентной базы СВЧ электроники и лазерной техники», сообщает пресс-служба вуза.

Работа будет вестись на средства гранта, который ННГУ выиграл у Российского научного фонда по выполнению прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив президента РФ в научно-технологической сфере в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприёмных матриц.

«Научно-технологическая проблема заключается в том, что в настоящее время в России отсутствуют собственные технологии получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллического GaAs – базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники. Сложившаяся в НИИ химии научная школа, опыт работы нашей лаборатории позволяют реализовать проект, направленный на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе – с выходом на внешний рынок», – рассказал руководитель проекта, заведующий Научно-исследовательской лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии Университета Лобачевского Леонид Мочалов.

Проект рассчитан на три года, сумма выделенного гранта – 95 миллионов рублей.

03.04.2024 — 10:18 Регион: Нижний Новгород

Все новости раздела «Общество»